场效应晶体管一氧化碳传感器可分为结型场效应晶体管(J-FET)与绝缘栅极晶体管(FET) 或称金属氧化物-硅场效应晶体管(MOSFET)。

三者都可制成P或N通路，但J-FET仅有孔穴型，MOS-FET则有增强型与孔穴型。其工作原理实际在半导体(如SiO2) 层上淀积一层绝缘物质(常用高分子材料)，当外加一电场在栅极时，则可控制通路中所通过的电流大小。

根据以上原理，若有气体吸附在绝缘层上，并且在绝缘层下的附近半导体产生一电子堆集成空穴区时，则会影响到电子通路中的阻力，在适当电路设计下如果维持电流不变，则栅极电压的变化与气体浓度成一函数关系，便可达到检测气体体积分数的目的。